4G高頻段功率放大器芯片布圖設(shè)計
2021年5月25日,國家知識產(chǎn)權(quán)局專利局復(fù)審和無效審理部將對涉案布圖設(shè)計登記號:BS.165007265號集成電路布圖設(shè)計撤銷案件進行口頭審理。涉案布圖設(shè)計名稱:KX11(4G高頻段功率放大器芯片布圖),案件編號:JC0021。
專有權(quán)人:深圳國民飛驤科技有限公司
撤銷意見提出人:北京昂瑞微電子技術(shù)有限公司
文字直播
[合議組]
參加口頭審理的雙方當(dāng)事人及代理人到庭,書記員核實到庭人員的身份。
[合議組]
合議組就座。
宣讀口頭審理審議庭規(guī)則。
合議組組長宣布口頭審理開始,介紹案件基本信息,合議組成員及書記員。
合議組成員:
組長:馬昊
主審員:熊潔
參審員:樊曉東、王偉艷、周亞娜
書記員:趙力平、羅崇舉
[撤銷意見提出人]
撤銷意見提出人是北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司,我方出庭人員為王軍(公民代理),一般代理;王顯泰(公民代理),一般代理;李偉華(代理師),特別代理;第一發(fā)言人王軍。
[專有權(quán)人]
專有權(quán)人為深圳國民飛驤科技股份有限公司。我方出庭人員吳讓軍(代理師),特別代理;李庭槐(公民代理),一般代理;趙罡(公民代理),一般代理;王大鵬(公民代理),一般代理;第一發(fā)言人吳讓軍。
[合議組]
雙方當(dāng)事人簡述撤銷理由或答辯理由。
[撤銷意見提出人]
撤銷的理由包括:本布圖設(shè)計不符合集成電路布圖設(shè)計保護條例第2條第(一)、(二)項,第4條的規(guī)定。
[專有權(quán)人]
本布圖設(shè)計符合條例第2條和第4條的規(guī)定,撤銷意見提出人的理由均不成立。
[合議組]
核實雙方往來文件。
[合議組]
撤銷意見提出人闡述撤銷理由及證據(jù)使用方式。
[撤銷意見提出人]
撤銷的理由和事實為:本布圖設(shè)計不符合集成電路布圖設(shè)計保護條例第2條第(一)、(二)項,第4條的規(guī)定。
一共提交了24份證據(jù):
證據(jù)1:企業(yè)信用信息公示報告;
證據(jù)2:目標設(shè)計商業(yè)利用信息;
證據(jù)3:飛驤獨創(chuàng)性說明;
證據(jù)4:《電工電子技術(shù)》相關(guān)頁;
證據(jù)5:《電工電子技術(shù)試驗教程》相關(guān)頁;
證據(jù)6:《集成電路版圖設(shè)計教程》相關(guān)頁;
證據(jù)7:109新院民認洪字第1118號公證書;
證據(jù)8:HS8308芯片委托封裝證明;
證據(jù)9:(2020)深先證字第10895號公證書;
證據(jù)10:北京昂瑞微電子技術(shù)有限公司名稱變更通知書;
證據(jù)11:郭嘉帥勞動合同;
證據(jù)12:上海昂兆電子技術(shù)有限公司報告;
證據(jù)13:HS8308布圖說明;
證據(jù)14:(2020)京求是內(nèi)經(jīng)證字第295號公證書;
證據(jù)15:目標設(shè)計第1-15層圖樣;
證據(jù)16:(2021)京國信內(nèi)京證字第03113號公證書;
證據(jù)17:(2021)京國信內(nèi)京證字第03112號公證書;
證據(jù)18:碩士學(xué)位論文《基于GaAs工藝的2W寬帶功率放大器的研究與設(shè)計》;
證據(jù)19:香港中科漢天下電子有限公司周年申報表;
證據(jù)20:北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司名稱變更通知;
證據(jù)21:北京昂瑞微電子技術(shù)股份有限公司報告;
證據(jù)22:媒體報告“中科漢天下發(fā)布全系列3G PA射頻前端產(chǎn)品”;
證據(jù)23:媒體報告“中科漢天下提供全系列射頻前端和功率放大器”;
證據(jù)24:教科書《集成電路掩模設(shè)計-基礎(chǔ)版圖設(shè)計》相關(guān)頁;
其中:證據(jù)4、5、6用于證明本布圖設(shè)計中關(guān)于電容的部分不符合條例第2條第(一)、(二)項的規(guī)定;其它證據(jù)用于證明本布圖設(shè)計關(guān)于電容部分的設(shè)計和ESD部分的設(shè)計已經(jīng)被在先公開銷售的芯片HS8308公開。
[合議組]
雙方當(dāng)事人進行證據(jù)質(zhì)證。質(zhì)證結(jié)束,專有權(quán)人充分表達了關(guān)于證據(jù)的意見,撤銷意見提出人進行了針對性答辯。
[合議組]
調(diào)查關(guān)于HS8308芯片公開銷售的主張。
[撤銷意見提出人]
證據(jù)7、8、9、11、16、17、22、23共同證明了2014年12月8日之前完成了HS8308的生產(chǎn)、封裝和公開銷售。
[專有權(quán)人]
上述證據(jù)沒有形成完整的證據(jù)鏈,不能證明HS8308公開銷售的事實;撤銷意見提出人沒有提交當(dāng)時銷售的HS8308芯片的布圖設(shè)計;其主張的HS8308公開銷售日期晚于本布圖設(shè)計的創(chuàng)作完成日2014年8月10日。
[撤銷意見提出人]
每個證據(jù)不屬于單個的孤證,是相互印證。生產(chǎn)和封裝環(huán)節(jié)的布圖設(shè)計可以證明公開銷售的HS8308芯片的布圖設(shè)計。從后續(xù)客戶反饋可以證明,HS8308的布圖設(shè)計沒有發(fā)生變化。
[專有權(quán)人]
證據(jù)中郵件內(nèi)容顯示意見提出人調(diào)整改變了HS8308布圖設(shè)計,銷售芯片的布圖設(shè)計不清楚。
[合議組]
明確本布圖設(shè)計專有權(quán)的保護范圍。
專有權(quán)人在申請登記時提交了15層圖樣和信息采集表,未提交簡要說明,明確權(quán)利內(nèi)容。
[專有權(quán)人]
主張5個獨創(chuàng)性部分及上述部分與其它部分的組合。
[撤銷意見提出人]
本次撤銷請求涉及獨創(chuàng)性部分1和2。
[合議組]
核實主張的獨創(chuàng)性部分所體現(xiàn)的三維配置在申請登記的各層布圖設(shè)計圖樣中的具體體現(xiàn)。
[合議組]
下面調(diào)查有關(guān)條例第2條第(一)、(二)項的撤銷理由。
[撤銷意見提出人]
關(guān)于獨創(chuàng)性部分1,挖空的電容部分不符合條例第2條第(二)項的規(guī)定。挖空的部分是對電容進行處理,不是對有源元件進行處理,不屬于對有源元件的改進。
[專有權(quán)人]
條例第2條是對集成電路整體的設(shè)計要求,不是對獨創(chuàng)性部分的要求。有關(guān)獨創(chuàng)性部分的要求在指南的第3.4部分,不適用條例第2條的規(guī)定。本布圖設(shè)計符合條例第2條第(二)項的規(guī)定。
[合議組]
下面調(diào)查有關(guān)條例第4條規(guī)定的獨創(chuàng)性的撤銷理由。
[撤銷意見提出人]
針對獨創(chuàng)性部分1。關(guān)于該電容挖空部分,證據(jù)示出,芯片HS8308的M2層同樣進行了挖空處理,而且挖空的位置和本布圖設(shè)計挖空位置相比沒有實質(zhì)差異,因此該部分不具有獨創(chuàng)性。
即使專有權(quán)人認為電容挖空的位置在Y方向上略有不同,但是挖空到第二個電容還是第三個電容的位置,是容易想到的,屬于公認的常規(guī)設(shè)計。
[專有權(quán)人]
獨創(chuàng)性部分1,不僅僅是挖空處理本身,重要的第三級放大區(qū)域挖空處理及其它元件之間的配置,M2的挖空在Y方向的位置與第三個電容下側(cè)面水平線正負平齊;其中根據(jù)電容位置、第三個電容的下表面水平位置Y方向挖空的深度和挖空的具體形狀確定三維配置的形狀及配置,重要的是和其他元件的三維配置關(guān)系。即使HS8308可以作為對比證據(jù),二者屬于不同器件,挖空部分也不構(gòu)成實質(zhì)性相似,不能破壞該部分的獨創(chuàng)性。
[合議組]
針對獨創(chuàng)性部分2。
[撤銷意見提出人]
獨創(chuàng)性部分2,涉及串聯(lián)模塊。HS8308芯片也設(shè)置ESD,區(qū)別僅在于本布圖設(shè)計為帶狀及其位于放大區(qū)域與輸出管腳之間。但是,帶狀ESD及其位置選擇均屬于公認的常規(guī)設(shè)計。因此,該部分不具有獨創(chuàng)性。HS8308中具有兩個ESD且形狀不同,也可以印證其位置是設(shè)計者根據(jù)芯片面積容易選擇的,屬于常規(guī)設(shè)計。
[專有權(quán)人]
獨創(chuàng)性部分2的主張有兩點,一是芯片保護電路設(shè)計采用長寬比8:1的帶狀分布,而非塊狀分布;二是靜電保護電路與第三級放大區(qū)域及輸出管腳的三維配制具體表現(xiàn)為緊貼第三級放大區(qū)域與輸出管腳。該部分是專有權(quán)人經(jīng)過不斷設(shè)計、仿真得到的設(shè)計要點。意見提出人主張的證據(jù)均沒有公開該部分的設(shè)計內(nèi)容,不能破壞該部分的獨創(chuàng)性。
[合議組]
證人出庭作證。請撤銷意見提出人方證人出庭。請各方詢問證人。
[證人1]
布圖設(shè)計下方為功率放大區(qū)域。為了減小該部分的阻抗,通常該區(qū)域面積較大。該部分會產(chǎn)生寄生電容,挖空可以減小電容。工程上根據(jù)輸出功率和工藝特點,對挖空內(nèi)容是一種折中。
挖空位置通常取在中間。挖空的面積大小影響較大,至于單獨的Y方向并不關(guān)心。ESD屬于輔助電路,不屬于核心電路。根據(jù)設(shè)計完成的核心電路選擇方便放置ESD的區(qū)域。條狀ESD電路是容易想到的。
[合議組]
請專有權(quán)人方證人出庭。請各方詢問證人。
[證人2]
耦合電容挖空處理的位置和面積是通過大量仿真計算達到的。需要平衡面積、成本和性能的關(guān)系,最終得到的設(shè)計會有一個綜合匹配的性能。射頻芯片來說,設(shè)計難度很高,不像一般的CPU電路。靜電保護電路有自己的設(shè)計原則,選擇帶狀分布還是塊狀分布,都有各自的特殊的應(yīng)用。ESD常見的形狀包括長方形、正方形、不規(guī)則圖形等,需要根據(jù)芯片面積、性能要求進行修正、仿真。
[合議組]
針對獨創(chuàng)性部分3-5。
[撤銷意見提出人]
本次撤銷請求暫不涉及上述獨創(chuàng)性部分。
[專有權(quán)人]
清楚。
[合議組]
休庭。
[合議組]
雙方當(dāng)事人總結(jié)陳詞。
[撤銷意見提出人]
堅持撤銷請求。
[專有權(quán)人]
堅持答辯意見。
[合議組]
合議組組長宣布本次口頭審理結(jié)束。